นักวิจัยในจีนได้สังเกตเห็นรูปแบบใหม่ของผลกระทบของฮอลล์ในชั้นเดียวของซีลีไนด์ทังสเตน (WSe 2 ) ผลลัพธ์ที่ได้จากการใช้ความเครียดกับตัวอย่างของวัสดุสองมิติ อาจช่วยในการพัฒนาหน่วยความจำแม่เหล็กแบบไม่ลบเลือนรุ่นต่อไป เอฟเฟกต์ฮอลล์แบบธรรมดาได้รับการอธิบายครั้งแรกในปลายศตวรรษที่ 19 และเกิดขึ้นเมื่ออิเล็กตรอนไหลผ่านตัวนำในที่ที่มีสนามแม่เหล็ก
สนามแม่เหล็กออกแรงไปด้านข้างกับอิเล็กตรอน
ทำให้เกิดความต่างศักย์ไฟฟ้าที่เป็นสัดส่วนกับความแรงของสนาม ไม่นานมานี้ นักวิทยาศาสตร์ได้ค้นพบผลกระทบที่เกี่ยวข้องทั้งครอบครัว รวมถึงผลกระทบควอนตัม เศษส่วน และสปินฮอลล์ ในเอฟเฟกต์ฮอลล์ที่ไม่เป็นเชิงเส้น แรงดันไฟฟ้าสร้างสเกลเป็นกำลังสองด้วยความแรงของสนาม แทนที่จะเป็นเชิงเส้น เอฟเฟกต์ฮอลล์ประเภทนี้ซึ่งคาดการณ์ในทางทฤษฎีในปี 2558 เกิดขึ้นเมื่อกระแสฮอลล์ถูกสร้างขึ้นเพื่อตอบสนองต่อองค์ประกอบ “อันดับสอง” ของสนามไฟฟ้าแทนที่จะเป็นสนามแม่เหล็ก ส่วนประกอบอันดับสองนี้เกี่ยวข้องกับสนามแม่เหล็กในวงโคจรของอิเล็กตรอน (กล่าวคือ การสะกดจิตที่เกิดจากการเคลื่อนที่ในวงโคจรของอนุภาค มากกว่าที่เกิดจากการหมุนของอิเล็กตรอน) และหมายความว่าตัวพาประจุในกระแสที่เคลื่อนที่ไปตามวัสดุสามารถ เบี่ยงเบนไป – ทำให้เกิดแรงดันไฟฟ้าในห้องโถง – แม้จะไม่มีสนามแม่เหล็กก็ตาม
TMDC ไม่กี่เลเยอร์ในปี 2019 นักวิจัยได้สังเกตเห็นผลกระทบของ Hall แบบไม่เชิงเส้นเป็นครั้งแรกในทังสเตนไดเทลลูไรด์สองสามชั้น WTe 2ซึ่งเป็นวัสดุที่อยู่ในกลุ่มวัสดุประเภททรานซิชัน-เมทัล ไดคัลโคเจไนด์ (TMDC) ตอนนี้ ทีมงานที่นำโดย Zhi-Min Liao จาก School of Physics at Peking University ในกรุงปักกิ่ง ประเทศจีน ได้พบว่าผลกระทบยังสามารถเกิดขึ้นได้ใน monolayer ของ TMDC ที่เกี่ยวข้อง, tungsten diselenide (WSe 2 ) เมื่อวัสดุถูก ตึงตามแกนผลึกของมัน
TMDCs มีสูตรทางเคมี MX 2โดยที่ M เป็นโลหะทรานซิชัน
เช่น โมลิบดีนัมหรือทังสเตน และ X เป็นคาลโคเจน เช่น กำมะถัน ซีลีเนียม หรือเทลลูเรียม ในรูปแบบที่เทอะทะ พวกมันทำหน้าที่เป็นสารกึ่งตัวนำช่องว่างแถบแถบทางอ้อม แต่เมื่อลดขนาดลงไปเป็นความหนาของชั้นเดียว พวกมันจะทำหน้าที่เป็นสารกึ่งตัวนำช่องว่างแถบแถบตรง ซึ่งสามารถดูดซับและเปล่งแสงได้อย่างมีประสิทธิภาพ
ในงานใหม่ รายงานในChinese Physics Lettersเหลียวและเพื่อนร่วมงานได้ศึกษาสะเก็ดของ WSe 2ที่พวกเขาได้มาจากการกำจัดเศษผลึกที่บางเป็นชั้นเดียวออกจากผลึกจำนวนมากของวัสดุ ในการใส่ความเครียดไปในทิศทางที่ต้องการ พวกเขาเลือกสะเก็ดที่มีขอบยาวและเป็นเส้นตรง และถ่ายโอนสิ่งเหล่านี้ไปยังซับสเตรตผลึกเพียโซอิเล็กทริกเดี่ยวที่เรียกว่า PMN-PT หลังจากที่จัดแนวสะเก็ด WSe 2ตามทิศทาง [001] ของผลึก PMN-PT แล้ว อิเล็กโทรดภายนอกที่ใช้เพื่อใช้แรงดันไฟฟ้ากับคริสตัลตามแกนเดียวกันนี้เพื่อสร้างการกระจัดแบบเพียโซอิเล็กทริกและทำให้เกิดความเครียดในเกล็ด WSe 2ในส่วนนี้ ทิศทาง.
การกระตุ้นของอิเล็กตรอนแบบรวมสลายเอฟเฟกต์ควอนตัมฮอลล์ในกราฟีนไดโพลโค้ง Berry นักวิจัยได้สังเกตเห็นสมบัติเชิงกลของควอนตัมที่เรียกว่าไดโพลความโค้งของ Berry โดยการควบคุมปริมาณความเครียดที่ใช้ ซึ่งจะกำหนดว่าประจุที่เคลื่อนที่ (เช่นอิเล็กตรอน) จะแพร่กระจายผ่านเซมิคอนดักเตอร์ที่เป็นของแข็งได้อย่างไร ไดโพลความโค้งของ Berry นี้เกี่ยวข้องโดยตรงกับการทำให้เป็นแม่เหล็กในวงโคจรใน TMDCs เมื่อมีการจ่ายกระแสให้กับพวกมัน ดังนั้น นักวิจัยจึงสามารถควบคุมการสะกดจิตนี้ ซึ่งโดยทั่วไปแล้วจะปรากฏในแนวตั้งฉากกับระนาบของวัสดุโดยตรง โดยการเปลี่ยนสนามเพียโซอิเล็กทริกภายนอก
Liao กล่าวว่าเทคนิคการจูนแบบเดียวกันนี้
สามารถใช้ประโยชน์ได้ในอุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กแบบไม่ลบเลือนรุ่นต่อไปโดยใช้ปรากฏการณ์ที่เรียกว่าแรงบิดของวงโคจรแม่เหล็ก (OMT) “ที่นี่ ข้อมูลจะถูกเขียนโดยกระแสประจุในโมโนเลเยอร์ TMDC ที่ตึงเครียด และการสะกดจิตในแนวตั้งฉากที่สลับโดย OMT” เขาบอก
“นี่เป็นครั้งแรกที่มีการใช้แรงดันเพื่อควบคุมความเสถียรของวัสดุนี้ [ภายใต้สภาวะแวดล้อม]” Lin กล่าว “ตอนนี้เราพบวิธีที่เหมาะสมที่สุดในการเตรียมวัสดุแล้ว มีศักยภาพในการขยายขนาดสำหรับการผลิตภาคอุตสาหกรรม และสำหรับการใช้วิธีการเดียวกันนี้เพื่อจัดการกับเฟสของ perovskite อื่นๆ”
การทำให้เฟส γ-CsPbI3 เสถียรการศึกษาเชิงทฤษฎีแสดงให้เห็นว่าเคล็ดลับสู่ความสำเร็จของทีม SLAC-Stanford อยู่ที่วิธีการรักษาด้วยแรงดันสูงและอุณหภูมิสูงที่ส่งผลต่อการบิดเบือนภายในโครงตาข่าย Perovskite นักวิจัยคนอื่นๆ ได้ระบุการบิดเบือนสามประเภทก่อนหน้านี้: การบิดเบือนของหน่วยแปดเหลี่ยม BX 6 ที่ประกอบเป็นโครงสร้างผลึกของวัสดุ B-cation displacements ภายใน octahedra; และการเอียงของ BX 6 octahedra แต่ละตัวที่สัมพันธ์กันเพื่อสร้างหน่วยที่เชื่อมโยงมุมที่เข้มงวด ในสามประเภทนี้ ประเภทที่สามเรียกว่าการเอียงแปดด้านเป็นเรื่องธรรมดาที่สุด
เซลล์แสงอาทิตย์ Perovskite ที่ทนทาน เมื่อสองปีก่อน นักวิจัยที่นำโดยHenry Snaith แห่งมหาวิทยาลัย Oxfordในสหราชอาณาจักรได้คำนวณว่าความเอียงแปดด้านของ [PbI 6 ] 4− cation ส่งผลอย่างมากต่อพลังงานการก่อตัวของเฟส α, β และ γ perovskite ของ CsPbI 3 ทั้งสามอย่างมาก . ในบรรดาเฟส perovskite เหล่านี้ เฟส γ มีความเอียงแปดด้านที่ใหญ่ที่สุด และด้วยเหตุนี้จึงมีพลังงานต่ำสุด
ในการศึกษาปัจจุบันChunjing JiaและThomas Devereauxจากสถาบัน Stanford Institute for Materials and Energy Sciences (SIMES) ใช้การคำนวณทฤษฎีเชิงฟังก์ชันความหนาแน่นของหลักการข้อแรกเพื่อแสดงว่าการใช้แรงกดกับ perovskite ส่งผลต่อการเอียงของมัน โดยเฉพาะอย่างยิ่ง การบำบัดด้วยแรงดันทำให้สามารถควบคุมความแตกต่างของพลังงานสัมพัทธ์ระหว่างเฟส γ-CsPbI 3 ที่ต้องการ และเฟสที่ไม่ใช่เพอรอฟสไคต์ที่แข่งขันกัน (δ- CsPbI 3 ) และสุดท้ายก็ทำให้เฟสเดิมเสถียร
แพลตฟอร์มหุ่นยนต์ช่วยให้ศัลยแพทย์ทำหัตถการที่ซับซ้อน ซึ่งมักจะเป็นการบุกรุกน้อยที่สุด โดยมีความแม่นยำ ความยืดหยุ่น และการควบคุมที่มากกว่าที่เป็นไปได้โดยใช้เทคนิคทั่วไป เพื่อให้เกิดประสิทธิภาพสูงสุด การผ่าตัดที่มีการบุกรุกน้อยที่สุดไม่เพียงต้องการเครื่องมือหุ่นยนต์ที่ออกแบบมาอย่างดีเท่านั้น แต่ยังต้องมีการกำหนดเป้าหมายที่แม่นยำ ซึ่งทำได้ผ่านเทคโนโลยีการแนะนำภาพ
Credit : prestamosyfinanciacion.com quirkyquaintly.com rodsguidingservice.com rodsguidingservices.com saabsunitedhistoricrallyteam.com
